5月7日消(xiao)息，由于(yu)質疑競爭對手的技(ji)術進展，三星決定公開自(zi)(zi)家DRAM產(chan)品(pin)的電路(lu)線寬，以顯示三星在該領(ling)域的技(ji)術領(ling)先(xian)地位。據韓媒 BusinessKorea 報導，三星準備打(da)破DRAM業(ye)界傳統(tong)，將(jiang)公布自(zi)(zi)家DRAM產(chan)品(pin)電路(lu)線寬。

上(shang)述報導指(zhi)出，DRAM 電(dian)路線(xian)寬被業界認(ren)定為(wei)衡量存儲器(qi)公司技術能力(li)的重要指(zhi)標，DRAM的電(dian)路線(xian)寬越窄，其(qi)功(gong)率(lv)效率(lv)就(jiu)越高。 因此，過(guo)去DRAM業界的傳統(tong)就(jiu)是不(bu)明(ming)確公開相關產品的確切電(dian)路線(xian)寬。 

并且，隨著DRAM制程(cheng)(cheng)技(ji)術(shu)(shu)在2016年進入(ru)10納(na)米級制程(cheng)(cheng)后(hou)，DRAM制造商也普(pu)遍達成共(gong)識，通過(guo)不(bu)公開相關參數來(lai)避免過(guo)度競(jing)爭(zheng)。 原(yuan)因主要在于(yu)進入(ru)到10納(na)米級制程(cheng)(cheng)后(hou)，電(dian)路線寬每縮(suo)小1納(na)米，需要2到3年的(de)研(yan)(yan)發投入(ru)，如(ru)此長的(de)研(yan)(yan)發時間意味著以技(ji)術(shu)(shu)議題(ti)為營銷賣(mai)點的(de)意義并不(bu)大。

基(ji)于以(yi)上因素，在(zai)過(guo)去的(de)5到6年(nian)間，全球(qiu)DRAM廠商事實(shi)(shi)上從未確實(shi)(shi)的(de)發表過(guo)DRAM產品的(de)電路(lu)線寬(kuan)數字。 這也是DRAM產業普遍將2016年(nian)推出的(de)10納(na)米(mi)級(ji)制(zhi)程(cheng)(cheng)歸(gui)類為(wei)第(di)(di)(di)一代1x納(na)米(mi)制(zhi)程(cheng)(cheng)，將2018年(nian)推出的(de)10納(na)米(mi)級(ji)制(zhi)程(cheng)(cheng)歸(gui)類為(wei)第(di)(di)(di)二(er)代1y納(na)米(mi)制(zhi)程(cheng)(cheng)，以(yi)及(ji)在(zai)同一年(nian)推出的(de)10納(na)米(mi)級(ji)制(zhi)程(cheng)(cheng)歸(gui)類為(wei)第(di)(di)(di)三代1z納(na)米(mi)制(zhi)程(cheng)(cheng)，之后于2021年(nian)初(chu)問世的(de)第(di)(di)(di)四代10納(na)米(mi)級(ji)制(zhi)程(cheng)(cheng)，將其稱之為(wei)1a納(na)米(mi)制(zhi)程(cheng)(cheng)。

報導強調，就因為DRAM廠商普遍將10納米級制程以1x納米制程、1y納米制程、1z納米制程等來稱呼，所以很難確切比較如三星的1z納米制程DRAM和美光的1z納米制程DRAM在電路線寬上的差異。為此，三星決定放棄傳統的模糊化表述，預計將公布旗下各 10 納米級制程 DRAM 產品電路線寬。除了揭示三星對自身制程技術的信心外，這似乎也預示著這一領域的技術競爭將再次激烈化。

三(san)星表示，將在(zai)2021年(nian)(nian)下(xia)半年(nian)(nian)量(liang)產1a納米制程(cheng)DRAM，該產品的(de)電路(lu)線(xian)(xian)寬為14納米。 事(shi)實上，三(san)星是全球第一(yi)家在(zai) 2016 年(nian)(nian)初開(kai)始(shi)量(liang)產第一(yi)代(dai) 1x 納米制程(cheng) DRAM 的(de)公司，量(liang)產時間領(ling)先(xian)SK 海力士和美光(guang)大(da)約半年(nian)(nian)到1年(nian)(nian)。 到了(le)2019年(nian)(nian)開(kai)發出1z納米制程(cheng)DRAM前，即使三(san)星沒有公布其DRAM電路(lu)線(xian)(xian)寬，卻也無人否認三(san)星在(zai)DRAM產業中處(chu)于技術領(ling)先(xian)地位。

領先(xian)局面在(zai)第(di)四代(dai)1a納(na)米制(zhi)程(cheng)(cheng)DRAM產(chan)品(pin)上被(bei)打破。 全球(qiu)第(di)三(san)大DRAM制(zhi)造商美光(guang)在(zai)2021年1月(yue)宣布，已開(kai)發出全球(qiu)首個1a納(na)米制(zhi)程(cheng)(cheng)DRAM，且已投入量(liang)產(chan)，這(zhe)使得美光(guang)在(zai)技術上一口氣(qi)超(chao)越了此前的(de)(de)龍頭三(san)星(xing)。 面對這(zhe)一情況，三(san)星(xing)主管DRAM的(de)(de)DS業務高層表示(shi)了憂心與不滿，他認為(wei)三(san)星(xing)過去生產(chan)的(de)(de)1x、1y和1z納(na)米制(zhi)程(cheng)(cheng)DRAM的(de)(de)性能遠遠優于競(jing)爭對手(shou)，如今在(zai)技術上被(bei)超(chao)越是(shi)很(hen)大的(de)(de)沖擊，并且對美光(guang)宣稱的(de)(de)1a納(na)米制(zhi)程(cheng)(cheng)DRAM的(de)(de)實(shi)際情況表示(shi)懷疑(yi)。

報導強調，三星(xing)不僅懷疑(yi)(yi)美(mei)光夸大其1a納米制(zhi)程DRAM的效能(neng)，而且，由于至今未看到美(mei)光發表相關產(chan)品的照片，也質疑(yi)(yi)其1a納米制(zhi)程DRAM是否已真的可進行大規模量產(chan)。 因此，三星(xing)決定明確公(gong)布其下(xia)各代10納米級制(zhi)程DRAM的電路線寬數字。