5月7日消息，由(you)于質疑競爭對(dui)手(shou)的技術進(jin)展，三星(xing)決(jue)定公(gong)開自家(jia)DRAM產品的電路線寬，以顯示三星(xing)在(zai)該領域(yu)的技術領先地(di)位。據韓媒 BusinessKorea 報導，三星(xing)準備打破DRAM業(ye)界傳統，將公(gong)布自家(jia)DRAM產品電路線寬。

上述報導指(zhi)出，DRAM 電(dian)(dian)路(lu)線(xian)寬(kuan)被業界(jie)認定為衡量存儲(chu)器公(gong)司技術能(neng)力的(de)重(zhong)要指(zhi)標，DRAM的(de)電(dian)(dian)路(lu)線(xian)寬(kuan)越窄(zhai)，其功率效率就越高。 因此，過(guo)去DRAM業界(jie)的(de)傳(chuan)統(tong)就是不明確公(gong)開相關產品的(de)確切(qie)電(dian)(dian)路(lu)線(xian)寬(kuan)。 

并且，隨著(zhu)DRAM制(zhi)(zhi)程(cheng)技(ji)(ji)術(shu)在2016年進入(ru)10納米(mi)級制(zhi)(zhi)程(cheng)后，DRAM制(zhi)(zhi)造(zao)商也普遍(bian)達成共識，通過(guo)(guo)不公開相關(guan)參數(shu)來避免過(guo)(guo)度競(jing)爭。 原因主要在于進入(ru)到10納米(mi)級制(zhi)(zhi)程(cheng)后，電路線寬每縮小1納米(mi)，需要2到3年的研(yan)發投入(ru)，如此長的研(yan)發時(shi)間意味著(zhu)以技(ji)(ji)術(shu)議(yi)題為(wei)營(ying)銷(xiao)賣點的意義并不大。

基于以上因素，在過去的5到6年間，全(quan)球DRAM廠商事實上從未確實的發(fa)表過DRAM產品的電路(lu)線寬數字。 這也是(shi)DRAM產業普遍將2016年推(tui)出的10納(na)米(mi)級制(zhi)(zhi)(zhi)程歸類(lei)為(wei)第(di)一代(dai)1x納(na)米(mi)制(zhi)(zhi)(zhi)程，將2018年推(tui)出的10納(na)米(mi)級制(zhi)(zhi)(zhi)程歸類(lei)為(wei)第(di)二代(dai)1y納(na)米(mi)制(zhi)(zhi)(zhi)程，以及在同(tong)一年推(tui)出的10納(na)米(mi)級制(zhi)(zhi)(zhi)程歸類(lei)為(wei)第(di)三(san)代(dai)1z納(na)米(mi)制(zhi)(zhi)(zhi)程，之(zhi)后于2021年初問世的第(di)四代(dai)10納(na)米(mi)級制(zhi)(zhi)(zhi)程，將其稱之(zhi)為(wei)1a納(na)米(mi)制(zhi)(zhi)(zhi)程。

報導強調，就因為DRAM廠商普遍將10納米級制程以1x納米制程、1y納米制程、1z納米制程等來稱呼，所以很難確切比較如三星的1z納米制程DRAM和美光的1z納米制程DRAM在電路線寬上的差異。為此，三星決定放棄傳統的模糊化表述，預計將公布旗下各 10 納米級制程 DRAM 產品電路線寬。除了揭示三星對自身制程技術的信心外，這似乎也預示著這一領域的技術競爭將再次激烈化。

三(san)星表示(shi)，將(jiang)在2021年(nian)(nian)下半年(nian)(nian)量產1a納(na)米(mi)(mi)制程DRAM，該(gai)產品的電路線寬為14納(na)米(mi)(mi)。 事實上，三(san)星是全球第一家在 2016 年(nian)(nian)初開始量產第一代 1x 納(na)米(mi)(mi)制程 DRAM 的公司(si)，量產時間領(ling)先SK 海(hai)力士和美光大約(yue)半年(nian)(nian)到1年(nian)(nian)。 到了2019年(nian)(nian)開發出1z納(na)米(mi)(mi)制程DRAM前(qian)，即使三(san)星沒有公布其DRAM電路線寬，卻也無人(ren)否認三(san)星在DRAM產業中處于技術領(ling)先地位。

領(ling)先局面在(zai)第四代1a納米(mi)制(zhi)程DRAM產(chan)品上(shang)被(bei)打破。 全(quan)球第三(san)大DRAM制(zhi)造(zao)商美(mei)光(guang)(guang)在(zai)2021年(nian)1月(yue)宣布，已開(kai)發出全(quan)球首個(ge)1a納米(mi)制(zhi)程DRAM，且已投入量(liang)產(chan)，這使(shi)得(de)美(mei)光(guang)(guang)在(zai)技術上(shang)一(yi)口氣超(chao)越了(le)此(ci)前的(de)(de)(de)龍頭三(san)星(xing)。 面對這一(yi)情(qing)況(kuang)，三(san)星(xing)主管DRAM的(de)(de)(de)DS業(ye)務高層表示了(le)憂心與(yu)不滿(man)，他認為三(san)星(xing)過去生產(chan)的(de)(de)(de)1x、1y和1z納米(mi)制(zhi)程DRAM的(de)(de)(de)性(xing)能遠(yuan)(yuan)遠(yuan)(yuan)優于競爭對手，如今在(zai)技術上(shang)被(bei)超(chao)越是(shi)很大的(de)(de)(de)沖擊，并且對美(mei)光(guang)(guang)宣稱(cheng)的(de)(de)(de)1a納米(mi)制(zhi)程DRAM的(de)(de)(de)實際情(qing)況(kuang)表示懷疑。

報導強調，三星(xing)不僅懷疑美光夸大(da)其(qi)1a納米制程(cheng)DRAM的(de)效能，而(er)且，由于至今未看到美光發表(biao)相關產(chan)品的(de)照(zhao)片，也(ye)質疑其(qi)1a納米制程(cheng)DRAM是否(fou)已(yi)真的(de)可進行大(da)規模量產(chan)。 因(yin)此，三星(xing)決定明確公布其(qi)下各代10納米級(ji)制程(cheng)DRAM的(de)電路線寬數字。